在 N 溝道 MOS 管中，當(dāng)柵極施加正電壓時，柵極附近的電子被排斥，形成一個電子空缺區(qū)域，這就是耗盡層。相反，在 P 溝道 MOS 管中，當(dāng)柵極施加負(fù)電壓時，柵極附近的空穴被排斥，形成一個空穴空缺區(qū)域，這也是耗盡層。
